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首页 全部分类 IRF5803D2PBF vs IRF7306TRPBF

IRF5803D2PBF备选型号: IRF7306TRPBF

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
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  • 栅源电压
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  • Infineon Technologies
    IRF5803D2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8-SO
    3.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    FETKY™
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    -40V
    -3.4A
    2W
    43 ns
    P-Channel
    112mOhm @ 3.4A, 10V
    3V @ 250μA
    1110pF @ 25V
    37nC @ 10V
    550ns
    40V
    ±20V
    50 ns
    -3.4A
    20V
    -40V
    1.11nF
    Schottky Diode (Isolated)
    190mOhm
    112 mΩ
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7306TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    3.6A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -30V
    -3.6A
    2W
    11 ns
    2 P-Channel (Dual)
    100m Ω @ 1.8A, 10V
    1V @ 250μA
    440pF @ 25V
    25nC @ 10V
    17ns
    30V
    -
    18 ns
    -3.6A
    20V
    -30V
    -
    逻辑电平门
    -
    -
    1.75mm
    4.9784mm
    4.05mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    Tin
    SILICON
    e3
    8
    EAR99
    100mOhm
    超低电阻
    2W
    鸥翼
    IRF7306PBF
    6.3 mm
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    -1V
    14A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    80 ns
    150°C
    -1 V
    无SVHC
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