Infineon Technologies IRF5803D2PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-SO

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

2W Ta

Turn Off Delay Time

88 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

FETKY™

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

-40V

额定电流

-3.4A

功率耗散

2W

接通延迟时间

43 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

112mOhm @ 3.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1110pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

37nC @ 10V

上升时间

550ns

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

50 ns

连续放电电流(ID)

-3.4A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-40V

输入电容

1.11nF

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

漏源电阻

190mOhm

最大rds

112 mΩ

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅