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首页 全部分类 IRF5803D2PBF vs STS4DPF30L

IRF5803D2PBF备选型号: STS4DPF30L

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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRF5803D2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8-SO
    3.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    FETKY™
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    -40V
    -3.4A
    2W
    43 ns
    P-Channel
    112mOhm @ 3.4A, 10V
    3V @ 250μA
    1110pF @ 25V
    37nC @ 10V
    550ns
    40V
    ±20V
    50 ns
    -3.4A
    20V
    -40V
    1.11nF
    Schottky Diode (Isolated)
    190mOhm
    112 mΩ
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STS4DPF30L
    STMicroelectronics
    MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    2
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    STripFET™
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -30V
    -4A
    2W
    25 ns
    2 P-Channel (Dual)
    80m Ω @ 2A, 10V
    1V @ 250μA
    1350pF @ 25V
    16nC @ 5V
    35ns
    30V
    -
    35 ns
    4A
    16V
    -30V
    -
    Standard
    -
    -
    1.25mm
    5mm
    4mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    e3
    8
    EAR99
    80mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    2W
    鸥翼
    260
    30
    STS4D
    8
    Single
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    1V
    4A
    16A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    无SVHC
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