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IRF5805TRPBF备选型号: DMP3105LVT-7
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- 端子表面处理
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 无铅代码
- 终止次数
- 电阻
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 晶体管应用
- DS 击穿电压-最小值
- 无铅
MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP19 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-663.8A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2005e3Obsolete1 (Unlimited)SMD/SMTEAR99Matte Tin (Sn)Single增强型MOSFET2W11 nsP-Channel98m Ω @ 3.8A, 10V2.5V @ 250μA511pF @ 25V17nC @ 10V14ns30V±20V49 ns-3.8A-2.5V20V-30V-30V-2.5 V990.6μm3mm1.7018mm无SVHC无ROHS3 Compliant-------------
MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT2615 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-663.1A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2011e3活跃1 (Unlimited)-EAR99Matte Tin (Sn)Single增强型MOSFET1.75W9.7 nsP-Channel75m Ω @ 4.2A, 10V1.5V @ 250μA839pF @ 15V19.8nC @ 10V17.7ns30V±12V64 ns3.9A-12V---900μm2.9mm1.6mm无SVHC无ROHS3 CompliantSILICONyes675mOhmHIGH RELIABILITYDUAL鸥翼260401SWITCHING30V无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMP3065LVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 20Vgss 587pF 12.3nC | 对比 |
 | FDC654P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin SuperSOT T/R | 对比 |
| IRF5800TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP | 对比 |
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