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IRF5852TRPBF备选型号: IRF5851TRPBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • Infineon Technologies
    IRF5852TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    6-TSOP
    2.7A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    2 (1 Year)
    SMD/SMT
    150°C
    -55°C
    960mW
    IRF5852PBF
    Dual
    960mW
    6.6 ns
    960mW
    2 N-Channel (Dual)
    90mOhm @ 2.7A, 4.5V
    1.25V @ 250μA
    400pF @ 15V
    6nC @ 4.5V
    1.2ns
    20V
    2.4 ns
    2.7A
    1.25V
    12V
    20V
    20V
    400pF
    逻辑电平门
    90mOhm
    90 mΩ
    1.25 V
    900μm
    3mm
    1.5mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
  • Infineon Technologies
    IRF5851TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    6-TSOP
    2.7A 2.2A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    2 (1 Year)
    SMD/SMT
    150°C
    -55°C
    960mW
    IRF5851PBF
    -
    960mW
    -
    960mW
    N and P-Channel
    90mOhm @ 2.7A, 4.5V
    1.25V @ 250μA
    400pF @ 15V
    6nC @ 4.5V
    -
    20V
    -
    2.7A
    1.25V
    12V
    20V
    20V
    400pF
    逻辑电平门
    90mOhm
    90 mΩ
    1.25 V
    900μm
    3mm
    1.5mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    90mOhm
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IRF5851TRPBF IRF5851TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP 对比