Infineon Technologies IRF5852TRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

供应商器件包装

6-TSOP

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.7A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

15 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2010

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终端

SMD/SMT

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

960mW

基本部件号

IRF5852PBF

元素配置

Dual

功率耗散

960mW

接通延迟时间

6.6 ns

功率 - 最大

960mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

90mOhm @ 2.7A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.25V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

400pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 4.5V

上升时间

1.2ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

2.4 ns

连续放电电流(ID)

2.7A

阈值电压

1.25V

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

20V

双电源电压

20V

输入电容

400pF

场效应管特性

逻辑电平门

漏源电阻

90mOhm

最大rds

90 mΩ

栅源电压

1.25 V

高度

900μm

长度

3mm

宽度

1.5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅