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首页 全部分类 IRF60B217 vs IPP084N06L3GXKSA1

IRF60B217备选型号: IPP084N06L3GXKSA1

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 附加功能
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRF60B217
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 60A
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    60A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    StrongIRFET™
    2013
    活跃
    不适用
    3
    EAR99
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 36A, 10V
    3.7V @ 50μA
    2230pF @ 25V
    66nC @ 10V
    60V
    ±20V
    60A
    TO-220AB
    0.009Ohm
    225A
    60V
    124 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP084N06L3GXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET, N CH, 50A, 60V, PG-TO220-3
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    SINGLE
    未说明
    未说明
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    8.4m Ω @ 50A, 10V
    2.2V @ 34μA
    4900pF @ 30V
    29nC @ 4.5V
    60V
    ±20V
    50A
    TO-220AB
    0.0084Ohm
    200A
    60V
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    3
    逻辑电平兼容
    79W
    15 ns
    26ns
    7 ns
    20V
    无SVHC
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