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首页 全部分类 IRF60B217 vs IRFI3205PBF

IRF60B217备选型号: IRFI3205PBF

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  • 附加功能
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  • 额定电流
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  • 功率耗散
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
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  • 隔离电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 宽度
  • 长度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRF60B217
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 60A
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    60A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    StrongIRFET™
    2013
    活跃
    不适用
    3
    EAR99
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 36A, 10V
    3.7V @ 50μA
    2230pF @ 25V
    66nC @ 10V
    60V
    ±20V
    60A
    TO-220AB
    0.009Ohm
    225A
    60V
    124 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFI3205PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 64A TO220FP
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    43 ns
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    8m Ω @ 34A, 10V
    4V @ 250μA
    4000pF @ 25V
    170nC @ 10V
    -
    ±20V
    64A
    TO-220AB
    -
    -
    -
    480 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    通孔
    8mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
    55V
    64A
    Single
    63W
    ISOLATED
    14 ns
    100ns
    70 ns
    4V
    20V
    56A
    55V
    55V
    170 ns
    2kV
    4 V
    9.8mm
    4.826mm
    10.7442mm
    无SVHC
    无
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