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首页 全部分类 IRF60B217 vs IPP120N06NGAKSA1

IRF60B217备选型号: IPP120N06NGAKSA1

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • Infineon Technologies
    IRF60B217
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 60A
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    60A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    StrongIRFET™
    2013
    活跃
    不适用
    3
    EAR99
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 36A, 10V
    3.7V @ 50μA
    2230pF @ 25V
    66nC @ 10V
    60V
    ±20V
    60A
    TO-220AB
    0.009Ohm
    225A
    60V
    124 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP120N06NGAKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-220
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    SINGLE
    260
    未说明
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    12m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 94μA
    2100pF @ 30V
    62nC @ 10V
    60V
    ±20V
    75A
    TO-220AB
    0.012Ohm
    -
    60V
    280 mJ
    符合RoHS标准
    -
    3
    e3
    yes
    哑光锡
    雪崩 额定
    unknown
    3
    不合格
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