您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRF610PBF vs IRF630NPBF

IRF610PBF备选型号: IRF630NPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 通道数量
  • 电压
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Vishay Siliconix
    IRF610PBF
    Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    TO-220AB
    6.000006g
    3.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    1.5Ohm
    150°C
    -55°C
    200V
    3.3A
    1
    200V
    Single
    36W
    8.2 ns
    N-Channel
    1.5Ohm @ 2A, 10V
    4V @ 250μA
    140pF @ 25V
    8.2nC @ 10V
    17ns
    200V
    ±20V
    8.9 ns
    3.3A
    4V
    20V
    200V
    140pF
    310 ns
    1.5Ohm
    1.5 Ω
    4 V
    9.01mm
    10.41mm
    4.7mm
    Unknown
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF630NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    -
    9.3A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    300mOhm
    -
    -
    200V
    9.3A
    -
    -
    Single
    82W
    7.9 ns
    N-Channel
    300m Ω @ 5.4A, 10V
    4V @ 250μA
    575pF @ 25V
    35nC @ 10V
    14ns
    -
    ±20V
    15 ns
    9.3A
    4V
    20V
    200V
    -
    176 ns
    -
    -
    4 V
    8.77mm
    10.54mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    SILICON
    HEXFET®
    e3
    3
    通孔
    EAR99
    镍外哑光锡
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    250
    30
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-220AB
    200V
    94 mJ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB 对比