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IRF630NLPBF备选型号: IRF640NLPBF
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3TO-2629.3A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004Obsolete1 (Unlimited)300mOhm175°C-55°C200V9ASingle82W7.9 nsN-Channel300mOhm @ 5.4A, 10V4V @ 250μA575pF @ 25V35nC @ 10V14ns200V±20V15 ns9.5A20V200V575pF300mOhm300 mΩ9.65mm10.668mm4.826mm无符合RoHS标准无铅-------------------- MOSFET N-CH 200V 18A TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3-18A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004活跃1 (Unlimited)150mOhm--200V18ASingle150W10 nsN-Channel150m Ω @ 11A, 10V4V @ 250μA1160pF @ 25V67nC @ 10V19ns-±20V5.5 ns18A20V200V---15.01mm10.668mm4.826mm无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free12 WeeksSILICONe33EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE260301增强型MOSFETDRAINSWITCHING4V72A247 mJ175°C4 V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF640NLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 | 对比 |
 | IPI60R380C6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262 | 对比 |
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