Infineon Technologies IRF630NLPBF

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

供应商器件包装

TO-262

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.3A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

82W Tc

Turn Off Delay Time

27 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

300mOhm

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

200V

额定电流

9A

元素配置

Single

功率耗散

82W

接通延迟时间

7.9 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

300mOhm @ 5.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

575pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35nC @ 10V

上升时间

14ns

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

9.5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

200V

输入电容

575pF

漏源电阻

300mOhm

最大rds

300 mΩ

高度

9.65mm

长度

10.668mm

宽度

4.826mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅