IRF634B-FP001备选型号: IRF630
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 系列
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 基本部件号
- 引脚数量
- 螺纹距离
- 反向恢复时间
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 weeks ago)通孔通孔TO-220-31.8gSILICON8.1A Tc-55°C~150°C TJTubee3yes不用于新设计1 (Unlimited)3Tin (Sn)R-PSFM-T3Single增强型MOSFET74W15 nsN-ChannelSWITCHING450m Ω @ 4.05A, 10V4V @ 250μA1000pF @ 25V38nC @ 10V75ns±30V65 ns8.1ATO-220AB30V250V32.4A200 mJ无ROHS3 Compliant----------------------
- In a Tube of 50, IRF630 N-Channel MOSFET, 9 A, 200 V STripFET, 3-Pin TO-220 STMicroelectronicsACTIVE (Last Updated: 8 months ago)通孔通孔TO-220-34.535924gSILICON9A Tc-65°C~150°C TJTubee3-活跃1 (Unlimited)3Matte Tin (Sn)-Single增强型MOSFET75W10 nsN-ChannelSWITCHING400m Ω @ 4.5A, 10V4V @ 250μA700pF @ 25V45nC @ 10V15ns±20V-9ATO-220AB20V200V--无ROHS3 Compliant12 Weeks3MESH OVERLAY™ IIEAR99400mOhm雪崩 额定200V9AIRF632.54mm170 ns3V9A200V3 V50 pF15.75mm10.4mm4.6mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQP10N20CTSTU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220 | 对比 |



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