ON Semiconductor IRF634B-FP001

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 weeks ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.1A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

74W Tc

Turn Off Delay Time

100 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

74W

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

450m Ω @ 4.05A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

38nC @ 10V

上升时间

75ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

65 ns

连续放电电流(ID)

8.1A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

250V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

32.4A

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant