ON Semiconductor FQP10N20CTSTU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

Turn Off Delay Time

70 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

72W Tc

系列

QFET®

已出版

2013

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

200V

额定电流

9.5A

元素配置

Single

功率耗散

72W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

360m Ω @ 4.75A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

510pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

26nC @ 10V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

9.5A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

200V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅