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IRF640NLPBF备选型号: IRF540NLPBF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子位置
- 配置
MOSFET N-CH 200V 18A TO-26212 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON18A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004e3活跃1 (Unlimited)3EAR99150mOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE200V26018A301Single增强型MOSFET150WDRAIN10 nsN-ChannelSWITCHING150m Ω @ 11A, 10V4V @ 250μA1160pF @ 25V67nC @ 10V19ns±20V5.5 ns18A4V20V200V72A247 mJ175°C4 V15.01mm10.668mm4.826mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free--- MOSFET N-CH 100V 33A TO-26214 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON130W Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004e3不用于新设计1 (Unlimited)3EAR9944MOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE100V26033A30--增强型MOSFET130WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING44m Ω @ 16A, 10V4V @ 250μA1960pF @ 25V71nC @ 10V35ns±20V35 ns33A4V20V100V---4 V9.65mm10.668mm4.826mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅SINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF540NLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 33A TO-262 | 对比 |
| IRFSL4620PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 200V 24A TO262 | 对比 |
| IRF9540NLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET P-CH 100V 23A TO262-3 | 对比 |
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