Infineon Technologies IRFSL4620PBF
- 收藏
- 对比
IRFSL4620PBF
1211-IRFSL4620PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 200V 24A TO262
--最小包装量--
IRFSL4620PBF详情
Infineon Technologies IRFSL4620PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
引脚数
3
供应商器件包装
TO-262
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
24A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
144W Tc
Turn Off Delay Time
25.4 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2008
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
通孔
电阻
63.7MOhm
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
元素配置
Single
功率耗散
144W
接通延迟时间
13.4 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
77.5mOhm @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1710pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
38nC @ 10V
上升时间
22.4ns
漏源电压 (Vdss)
200V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
14.8 ns
连续放电电流(ID)
24A
阈值电压
5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
200V
双电源电压
200V
输入电容
1.71nF
漏源电阻
77.5mOhm
最大rds
77.5 mΩ
栅源电压
5 V
高度
9.65mm
长度
10.668mm
宽度
4.826mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRFSL4620PBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。