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IRF6610TR1PBF备选型号: IRF6712STR1PBF

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  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
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  • 最小工作温度
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  • 上升时间
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  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRF6610TR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    5
    15A Ta 66A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    EAR99
    20V
    15A
    42W
    N-Channel
    6.8m Ω @ 15A, 10V
    2.55V @ 250μA
    1520pF @ 10V
    17nC @ 4.5V
    ±20V
    12A
    2.1V
    20V
    20V
    2.1 V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6712STR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    5
    17A Ta 68A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    2.2W
    N-Channel
    4.9mOhm @ 17A, 10V
    2.4V @ 50μA
    1570pF @ 13V
    18nC @ 4.5V
    ±20V
    17A
    1.9V
    20V
    25V
    1.9 V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    DIRECTFET™ SQ
    SMD/SMT
    4.9MOhm
    150°C
    -40°C
    11 ns
    40ns
    25V
    12 ns
    25V
    1.57nF
    26 ns
    8.7mOhm
    4.9 mΩ
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    无
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