Infineon Technologies IRF6610TR1PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric SQ

引脚数

5

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A Ta 66A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

2.2W Ta 42W Tc

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2006

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

20V

额定电流

15A

功率耗散

42W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.8m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.55V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1520pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

12A

阈值电压

2.1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

20V

栅源电压

2.1 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅