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首页 全部分类 IRF6610TR1PBF vs IRFR3704ZPBF

IRF6610TR1PBF备选型号: IRFR3704ZPBF

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  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRF6610TR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    5
    15A Ta 66A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    EAR99
    20V
    15A
    42W
    N-Channel
    6.8m Ω @ 15A, 10V
    2.55V @ 250μA
    1520pF @ 10V
    17nC @ 4.5V
    ±20V
    12A
    2.1V
    20V
    20V
    2.1 V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR3704ZPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    60A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    20V
    60A
    48W
    N-Channel
    8.4m Ω @ 15A, 10V
    2.55V @ 250μA
    1190pF @ 10V
    14nC @ 4.5V
    ±20V
    60A
    2.1V
    20V
    20V
    -
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    Tin
    SILICON
    e3
    2
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    41 ns
    SWITCHING
    8.9ns
    12 ns
    TO-252AA
    0.0084Ohm
    240A
    19 ns
    2.26mm
    6.73mm
    6.22mm
    无
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