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首页 全部分类 IRF6612TRPBF vs IRF8308MTRPBF

IRF6612TRPBF备选型号: IRF8308MTRPBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 表面安装
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    IRF6612TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    5
    SILICON
    24A Ta 136A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    e1
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    30V
    BOTTOM
    无铅
    260
    24A
    30
    R-XBCC-N3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    89W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.3m Ω @ 24A, 10V
    2.25V @ 250μA
    3970pF @ 15V
    45nC @ 4.5V
    52ns
    ±20V
    4.8 ns
    136mA
    20V
    0.0033Ohm
    30V
    190A
    37 mJ
    1.8 V
    506μm
    6.35mm
    5.05mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8308MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 27A MX
    -
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    -
    SILICON
    27A Ta 150A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    e1
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    -
    BOTTOM
    无铅
    未说明
    -
    未说明
    R-XBCC-N3
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    2.5m Ω @ 27A, 10V
    2.35V @ 100μA
    4404pF @ 15V
    42nC @ 4.5V
    -
    ±20V
    -
    -
    -
    0.0035Ohm
    -
    212A
    12 mJ
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    13 Weeks
    YES
    30V
    27A
    30V
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