Infineon Technologies IRF6612TRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MX

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

24A Ta 136A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 89W Tc

Turn Off Delay Time

21 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2006

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

电压 - 额定直流

30V

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

24A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-XBCC-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

89W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.3m Ω @ 24A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.25V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3970pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

45nC @ 4.5V

上升时间

52ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4.8 ns

连续放电电流(ID)

136mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0033Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

190A

雪崩能量等级（Eas）

37 mJ

栅源电压

1.8 V

高度

506μm

长度

6.35mm

宽度

5.05mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅