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首页 全部分类 IRF6614TRPBF vs BSC886N03LSGATMA1

IRF6614TRPBF备选型号: BSC886N03LSGATMA1

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  • 箱体转运
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    IRF6614TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric ST
    5
    SILICON
    12.7A Ta 55A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    8.3MOhm
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    40V
    BOTTOM
    12.7A
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.3m Ω @ 12.7A, 10V
    2.25V @ 250μA
    2560pF @ 20V
    29nC @ 4.5V
    27ns
    ±20V
    3.6 ns
    10.1A
    1.8V
    20V
    40V
    22 mJ
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC886N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    13A Ta 65A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    -
    -
    DUAL
    -
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    4.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    2100pF @ 15V
    26nC @ 10V
    3.2ns
    ±20V
    3 ns
    65A
    2.2V
    20V
    -
    20 mJ
    -
    -
    -
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    无铅
    未说明
    未说明
    30V
    0.0092Ohm
    260A
    30V
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