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首页 全部分类 IRF6617TRPBF vs FDD8880

IRF6617TRPBF备选型号: FDD8880

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  • 终止次数
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  • 终端形式
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • Infineon Technologies
    IRF6617TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric ST
    5
    DIRECTFET™ ST
    14A Ta 55A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    30V
    14A
    42W
    11 ns
    N-Channel
    8.1mOhm @ 15A, 10V
    2.35V @ 250μA
    1300pF @ 15V
    17nC @ 4.5V
    34ns
    30V
    ±20V
    3.7 ns
    11A
    2.35V
    20V
    30V
    1.3nF
    6.2mOhm
    8.1 mΩ
    2.35 V
    620μm
    3.95mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD8880
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    13A Ta 58A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    30V
    58A
    55W
    8 ns
    N-Channel
    9m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1260pF @ 15V
    31nC @ 10V
    91ns
    -
    ±20V
    32 ns
    58A
    2.5V
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    Tin
    260.37mg
    SILICON
    e3
    yes
    2
    EAR99
    9MOhm
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-252AA
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