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首页 全部分类 IRF6617TRPBF vs IRFHM8329TRPBF

IRF6617TRPBF备选型号: IRFHM8329TRPBF

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  • 终止次数
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRF6617TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric ST
    5
    DIRECTFET™ ST
    14A Ta 55A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    30V
    14A
    42W
    11 ns
    N-Channel
    8.1mOhm @ 15A, 10V
    2.35V @ 250μA
    1300pF @ 15V
    17nC @ 4.5V
    34ns
    30V
    ±20V
    3.7 ns
    11A
    2.35V
    20V
    30V
    1.3nF
    6.2mOhm
    8.1 mΩ
    2.35 V
    620μm
    3.95mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM8329TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 16A PQFN
    39 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    16A Ta 57A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    2.6W
    14 ns
    N-Channel
    6.1m Ω @ 20A, 10V
    2.2V @ 25μA
    1710pF @ 10V
    26nC @ 10V
    74ns
    -
    ±20V
    14 ns
    16A
    1.7V
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    S-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    230A
    43 mJ
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