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首页 全部分类 IRF6633ATR1PBF vs IRF6712STR1PBF

IRF6633ATR1PBF备选型号: IRF6712STR1PBF

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  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 终端
  • 电阻
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 长度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF6633ATR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MU
    3
    DIRECTFET™ MU
    16A Ta 69A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    150°C
    -40°C
    42W
    6.9 ns
    N-Channel
    5.6mOhm @ 16A, 10V
    2.2V @ 250μA
    1410pF @ 10V
    17nC @ 4.5V
    13ns
    20V
    ±20V
    7.7 ns
    16A
    20V
    20V
    1.41nF
    9.4mOhm
    5.6 mΩ
    700μm
    5.05mm
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6712STR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    5
    DIRECTFET™ SQ
    17A Ta 68A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    2.2W
    11 ns
    N-Channel
    4.9mOhm @ 17A, 10V
    2.4V @ 50μA
    1570pF @ 13V
    18nC @ 4.5V
    40ns
    25V
    ±20V
    12 ns
    17A
    20V
    25V
    1.57nF
    8.7mOhm
    4.9 mΩ
    506μm
    3.95mm
    无
    符合RoHS标准
    SMD/SMT
    4.9MOhm
    1.9V
    25V
    26 ns
    1.9 V
    4.826mm
    无SVHC
    无铅
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