Infineon Technologies IRF6633ATR1PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MU

引脚数

3

供应商器件包装

DIRECTFET™ MU

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A Ta 69A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

2.3W Ta 42W Tc

Turn Off Delay Time

8.4 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2008

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-40°C

功率耗散

42W

接通延迟时间

6.9 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.6mOhm @ 16A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1410pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 4.5V

上升时间

13ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

7.7 ns

连续放电电流(ID)

16A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

20V

输入电容

1.41nF

漏源电阻

9.4mOhm

最大rds

5.6 mΩ

高度

700μm

宽度

5.05mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准