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首页 全部分类 IRF6645TR1PBF vs FDMS86105

IRF6645TR1PBF备选型号: FDMS86105

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  • 漏源击穿电压
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  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRF6645TR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SJ
    5
    DIRECTFET™ SJ
    5.7A Ta 25A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    35MOhm
    150°C
    -40°C
    100V
    5.7A
    Single
    42W
    9.2 ns
    N-Channel
    35mOhm @ 5.7A, 10V
    4.9V @ 50μA
    890pF @ 25V
    20nC @ 10V
    5ns
    100V
    ±20V
    5.1 ns
    4.5A
    3V
    20V
    100V
    100V
    890pF
    47 ns
    28mOhm
    35 mΩ
    3 V
    530μm
    4.826mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS86105
    ON Semiconductor
    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    6A Ta 26A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    48W
    6.7 ns
    N-Channel
    34m Ω @ 6A, 10V
    4V @ 250μA
    645pF @ 50V
    11nC @ 10V
    2.1ns
    -
    ±20V
    2.4 ns
    6A
    2.8V
    20V
    100V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    13 Weeks
    68.1mg
    SILICON
    e3
    yes
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    MO-240AA
    6A
    0.034Ohm
    30A
    50 mJ
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