IRF6645TR1PBF备选型号: STL7N10F7

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终端
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SJ
    5
    DIRECTFET™ SJ
    5.7A Ta 25A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    35MOhm
    150°C
    -40°C
    100V
    5.7A
    Single
    42W
    9.2 ns
    N-Channel
    35mOhm @ 5.7A, 10V
    4.9V @ 50μA
    890pF @ 25V
    20nC @ 10V
    5ns
    100V
    ±20V
    5.1 ns
    4.5A
    3V
    20V
    100V
    100V
    890pF
    47 ns
    28mOhm
    35 mΩ
    3 V
    530μm
    4.826mm
    3.95mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET POWER MOSFET
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    10V
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    27mOhm
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    9.8 ns
    N-Channel
    35m Ω @ 3.5A, 10V
    4.5V @ 250μA
    920pF @ 50V
    14nC @ 10V
    14ns
    100V
    ±20V
    4.6 ns
    7A
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STL7
    1
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