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首页 全部分类 IRF6645TRPBF vs IPD33CN10NGATMA1

IRF6645TRPBF备选型号: IPD33CN10NGATMA1

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
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  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 无卤素
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • Infineon Technologies
    IRF6645TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SJ
    7
    SILICON
    5.7A Ta 25A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    100V
    BOTTOM
    5.7A
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    9.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    35m Ω @ 5.7A, 10V
    4.9V @ 50μA
    890pF @ 25V
    20nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    5.1 ns
    5.7mA
    20V
    0.035Ohm
    100V
    45A
    29 mJ
    410μm
    3.95mm
    3.95mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD33CN10NGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    18 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    27A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2007
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    SINGLE
    -
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    58W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    33m Ω @ 27A, 10V
    4V @ 29μA
    1570pF @ 50V
    24nC @ 10V
    21ns
    ±20V
    4 ns
    27A
    20V
    -
    -
    108A
    47 mJ
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    yes
    Tin (Sn)
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    无卤素
    TO-252AA
    100V
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