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首页 全部分类 IRF6645TRPBF vs STL30N10F7

IRF6645TRPBF备选型号: STL30N10F7

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  • 端子位置
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • Infineon Technologies
    IRF6645TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SJ
    7
    SILICON
    5.7A Ta 25A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    100V
    BOTTOM
    5.7A
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    9.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    35m Ω @ 5.7A, 10V
    4.9V @ 50μA
    890pF @ 25V
    20nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    5.1 ns
    5.7mA
    20V
    0.035Ohm
    100V
    45A
    29 mJ
    410μm
    3.95mm
    3.95mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STL30N10F7
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 100V 8A POWERFLAT
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    30A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    9.8 ns
    N-Channel
    -
    35m Ω @ 4A, 10V
    4.5V @ 250μA
    920pF @ 50V
    14nC @ 10V
    14ns
    ±20V
    4.6 ns
    30A
    20V
    -
    100V
    -
    -
    950μm
    6.35mm
    5.4mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    未说明
    未说明
    STL30
    1
    Single
  • 添加型号
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