您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRF6645TRPBF vs IPG20N10S4L35ATMA1

IRF6645TRPBF备选型号: IPG20N10S4L35ATMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 场效应管特性
  • Infineon Technologies
    IRF6645TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SJ
    7
    SILICON
    5.7A Ta 25A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    100V
    BOTTOM
    5.7A
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    9.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    35m Ω @ 5.7A, 10V
    4.9V @ 50μA
    890pF @ 25V
    20nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    5.1 ns
    5.7mA
    20V
    0.035Ohm
    100V
    45A
    29 mJ
    410μm
    3.95mm
    3.95mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPG20N10S4L35ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 20A
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2012
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    43W
    -
    3 ns
    2 N-Channel (Dual)
    -
    35m Ω @ 17A, 10V
    2.1V @ 16μA
    1105pF @ 25V
    17.4nC @ 10V
    2ns
    -
    13 ns
    20A
    16V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    Tin (Sn)
    43W
    未说明
    not_compliant
    未说明
    无卤素
    100V
    逻辑电平门
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPG20N10S4L35ATMA1 IPG20N10S4L35ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-PowerVDFN Trans MOSFET N-CH 100V 20A 对比
STL30N10F7 STL30N10F7 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 100V 8A POWERFLAT 对比