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首页 全部分类 IRF6648TRPBF vs IRFH5206TR2PBF

IRF6648TRPBF备选型号: IRFH5206TR2PBF

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  • 高度
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  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • Infineon Technologies
    IRF6648TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MN
    5
    SILICON
    86A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    60V
    BOTTOM
    86A
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    89W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7m Ω @ 17A, 10V
    4.9V @ 150μA
    2120pF @ 25V
    50nC @ 10V
    29ns
    ±20V
    13 ns
    86mA
    4V
    20V
    0.007Ohm
    60V
    260A
    47 mJ
    508μm
    5.45mm
    5.05mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5206TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 16A 5X6 PQFN
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    16A Ta 89A Tc
    -
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2010
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    100W
    -
    6.4 ns
    N-Channel
    -
    6.7mOhm @ 50A, 10V
    4V @ 100μA
    2490pF @ 25V
    60nC @ 10V
    11ns
    -
    8.2 ns
    89A
    4V
    20V
    -
    60V
    -
    -
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    8-PQFN (5x6)
    150°C
    -55°C
    3.6W
    Single
    60V
    2.49nF
    39 ns
    6.7mOhm
    6.7 mΩ
    4 V
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