Infineon Technologies IRFH5206TR2PBF
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IRFH5206TR2PBF
1211-IRFH5206TR2PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
大陆
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MOSFET N-CH 60V 16A 5X6 PQFN
--最小包装量--
IRFH5206TR2PBF详情
Infineon Technologies IRFH5206TR2PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
供应商器件包装
8-PQFN (5x6)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
16A Ta 89A Tc
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
22 ns
包装
Cut Tape (CT)
系列
HEXFET®
已出版
2010
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
3.6W
元素配置
Single
功率耗散
100W
接通延迟时间
6.4 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.7mOhm @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2490pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
60nC @ 10V
上升时间
11ns
漏源电压 (Vdss)
60V
下降时间(典型值)
8.2 ns
连续放电电流(ID)
89A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
输入电容
2.49nF
恢复时间
39 ns
漏源电阻
6.7mOhm
最大rds
6.7 mΩ
栅源电压
4 V
高度
838.2μm
长度
5.9944mm
宽度
5mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
IRFH5206TR2PBF拓展信息
Infineon Technologies
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