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首页 全部分类 IRF6655TR1PBF vs AUIRF7665S2TR

IRF6655TR1PBF备选型号: AUIRF7665S2TR

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  • 输入电容
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    IRF6655TR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SH
    5
    DIRECTFET™ SH
    4.2A Ta 19A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    62MOhm
    150°C
    -40°C
    Single
    42W
    7.4 ns
    N-Channel
    62mOhm @ 5A, 10V
    4.8V @ 25μA
    530pF @ 25V
    11.7nC @ 10V
    2.8ns
    100V
    ±20V
    4.3 ns
    4.2A
    4V
    20V
    100V
    530pF
    53mOhm
    62 mΩ
    4 V
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRF7665S2TR
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SB
    3
    -
    4.1A Ta 14.4A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    Single
    2.4W
    3.8 ns
    N-Channel
    62m Ω @ 8.9A, 10V
    5V @ 25μA
    515pF @ 25V
    13nC @ 10V
    6.4ns
    -
    ±20V
    3.6 ns
    14.4A
    4V
    20V
    100V
    -
    -
    -
    -
    558.8μm
    4.826mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    SILICON
    2
    EAR99
    BOTTOM
    R-XBCC-N2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    AMPLIFIER
    77A
    0.062Ohm
    58A
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