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首页 全部分类 IRF6655TR1PBF vs IRF6665TRPBF

IRF6655TR1PBF备选型号: IRF6665TRPBF

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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF6655TR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SH
    5
    DIRECTFET™ SH
    4.2A Ta 19A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    62MOhm
    150°C
    -40°C
    Single
    42W
    7.4 ns
    N-Channel
    62mOhm @ 5A, 10V
    4.8V @ 25μA
    530pF @ 25V
    11.7nC @ 10V
    2.8ns
    100V
    ±20V
    4.3 ns
    4.2A
    4V
    20V
    100V
    530pF
    53mOhm
    62 mΩ
    4 V
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6665TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SH
    3
    -
    4.2A Ta 19A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    Single
    42W
    7.4 ns
    N-Channel
    62m Ω @ 5A, 10V
    5V @ 250μA
    530pF @ 25V
    13nC @ 10V
    2.8ns
    -
    ±20V
    4.3 ns
    3.4A
    5V
    20V
    100V
    -
    -
    -
    5 V
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    Tin
    SILICON
    e1
    2
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    100V
    BOTTOM
    4.2A
    R-XBCC-N2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    0.062Ohm
    无铅
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