您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRF6655TRPBF vs IPG16N10S461ATMA1

IRF6655TRPBF备选型号: IPG16N10S461ATMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • 功率 - 最大
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • Infineon Technologies
    IRF6655TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SH
    5
    SILICON
    4.2A Ta 19A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    e1
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    100V
    BOTTOM
    4.2A
    R-XBCC-N2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    7.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    62m Ω @ 5A, 10V
    4.8V @ 25μA
    530pF @ 25V
    11.7nC @ 10V
    2.8ns
    ±20V
    4.3 ns
    4.2mA
    20V
    0.062Ohm
    100V
    34A
    11 mJ
    508μm
    4.826mm
    3.9624mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPG16N10S461ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    R-PDSO-F6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    3 ns
    2 N-Channel (Dual)
    -
    61m Ω @ 16A, 10V
    3.5V @ 9μA
    490pF @ 25V
    7nC @ 10V
    1ns
    -
    -
    16A
    20V
    0.061Ohm
    -
    64A
    33 mJ
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    29W
    FLAT
    not_compliant
    8
    29W
    无卤素
    100V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    20 pF
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPG16N10S461ATMA1 IPG16N10S461ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-PowerVDFN Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R 对比
FDMC8622 FDMC8622 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerWDFN N-Channel Shielded Gate Power Trench® MOSFET 100V, 16A, 56mO 对比
AUIRF7665S2TR AUIRF7665S2TR Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 DirectFET™ Isometric SB MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2 对比