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首页 全部分类 IRF6655TRPBF vs IRF6665TRPBF

IRF6655TRPBF备选型号: IRF6665TRPBF

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  • 端子位置
  • 额定电流
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  • 操作模式
  • 功率耗散
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  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 附加功能
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRF6655TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SH
    5
    SILICON
    4.2A Ta 19A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    e1
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    100V
    BOTTOM
    4.2A
    R-XBCC-N2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    7.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    62m Ω @ 5A, 10V
    4.8V @ 25μA
    530pF @ 25V
    11.7nC @ 10V
    2.8ns
    ±20V
    4.3 ns
    4.2mA
    20V
    0.062Ohm
    100V
    34A
    11 mJ
    508μm
    4.826mm
    3.9624mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6665TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SH
    3
    SILICON
    4.2A Ta 19A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    100V
    BOTTOM
    4.2A
    R-XBCC-N2
    -
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    7.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    62m Ω @ 5A, 10V
    5V @ 250μA
    530pF @ 25V
    13nC @ 10V
    2.8ns
    ±20V
    4.3 ns
    3.4A
    20V
    0.062Ohm
    100V
    -
    -
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    HIGH RELIABILITY
    Single
    5V
    5 V
    无SVHC
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