IRF6662TR1PBF备选型号: IRFR540ZPBF
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终端
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- 最高工作温度
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- 电压 - 额定直流
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- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- ECCN 代码
- MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric MZ5DIRECTFET™ MZ8.3A Ta 47A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2006Obsolete1 (Unlimited)SMD/SMT22MOhm150°C-40°C100V8.3ASingle89W11 nsN-Channel22mOhm @ 8.2A, 10V4.9V @ 100μA1360pF @ 25V31nC @ 10V7.5ns100V±20V5.9 ns6.6A3.9V20V100V100V1.36nF51 ns17.5mOhm22 mΩ3.9 V508μm5.45mm5.05mm无SVHC无符合RoHS标准无铅--
- MOSFET N-CH 100V 35A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-35A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2005Discontinued1 (Unlimited)SMD/SMT-----Single91W14 nsN-Channel28.5m Ω @ 21A, 10V4V @ 50μA1690pF @ 25V59nC @ 10V42ns-±20V34 ns35A4V20V100V100V-48 ns--4 V2.2606mm6.7056mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅19 WeeksEAR99
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFR540ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 35A DPAK | 对比 |
![]() | IRF3710ZSTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK | 对比 |
![]() | BSC196N10NSGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON EP | 对比 |






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