Infineon Technologies IRF6662TR1PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MZ

引脚数

5

供应商器件包装

DIRECTFET™ MZ

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.3A Ta 47A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 89W Tc

Turn Off Delay Time

24 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2006

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

SMD/SMT

电阻

22MOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-40°C

电压 - 额定直流

100V

额定电流

8.3A

元素配置

Single

功率耗散

89W

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

22mOhm @ 8.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.9V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1360pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31nC @ 10V

上升时间

7.5ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5.9 ns

连续放电电流(ID)

6.6A

阈值电压

3.9V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

双电源电压

100V

输入电容

1.36nF

恢复时间

51 ns

漏源电阻

17.5mOhm

最大rds

22 mΩ

栅源电压

3.9 V

高度

508μm

长度

5.45mm

宽度

5.05mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅