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IRF6668TRPBF备选型号: IRF6674TRPBF
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-30代码
- 配置
- 栅源电压
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFE12 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric MZ3SILICON55A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2006e1活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)80VBOTTOM55ASingle增强型MOSFET89WDRAIN19 nsN-ChannelSWITCHING15m Ω @ 12A, 10V4.9V @ 100μA1320pF @ 25V31nC @ 10V13ns±20V23 ns55mA4V20V0.015Ohm80V170A24 mJ533.4μm6.35mm5.0546mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---- MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET12 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric MZ5SILICON13.4A Ta 67A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2008e1活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)-BOTTOM--增强型MOSFET89WDRAIN7 nsN-ChannelSWITCHING11m Ω @ 13.4A, 10V4.9V @ 100μA1350pF @ 25V36nC @ 10V12ns±20V8.7 ns67A4V20V-60V-98 mJ530μm6.35mm5.05mm无SVHC无ROHS3 Compliant-R-XBCC-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE4 V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB13AN06A0 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
 | IRFH5110TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | Single N-Channel 100 V 12.4 mOhm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm | 对比 |
 | IRFZ44VZSPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK | 对比 |
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