Infineon Technologies IRF6674TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MZ

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

3.6W Ta 89W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13.4A Ta 67A Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.9V @ 100μA

Turn Off Delay Time

12 ns

系列

HEXFET®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-40°C~150°C TJ

已出版

2008

JESD-609代码

e1

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

端子位置

BOTTOM

JESD-30代码

R-XBCC-N3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

89W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11m Ω @ 13.4A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1350pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36nC @ 10V

上升时间

12ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8.7 ns

连续放电电流(ID)

67A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

雪崩能量等级（Eas）

98 mJ

栅源电压

4 V

长度

6.35mm

高度

530μm

宽度

5.05mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC