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IRF6674TR1PBF备选型号: IRF1018ESPBF
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
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- 高度
- 长度
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- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
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- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric MZ7DIRECTFET™ MZ1-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2008Obsolete1 (Unlimited)SMD/SMT150°C-40°CDual3.6W7 nsN-Channel11mOhm @ 13.4A, 10V4.9V @ 100μA1350pF @ 25V36nC @ 10V12ns60V±20V8.7 ns13.4A20V60V60V1.35nF48 ns9mOhm11 mΩ4 V533.4μm6.35mm5.05mm无SVHC无符合RoHS标准-----------------
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-79A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2008Discontinued1 (Unlimited)---Single110W13 nsN-Channel8.4m Ω @ 47A, 10V4V @ 100μA2290pF @ 50V69nC @ 10V35ns-±20V46 ns79A20V60V--39 ns---4.826mm10.668mm9.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant52 WeeksSILICONe32EAR998.4MOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼26030R-PSSO-G2增强型MOSFETDRAINSWITCHING4V88 mJ无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRF1018ES | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK | 对比 |
 | STD70N6F3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 70A DPAK | 对比 |
| IRF1018ESPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK | 对比 |
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