Infineon Technologies IRF6674TR1PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MZ

引脚数

7

供应商器件包装

DIRECTFET™ MZ

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.6W Ta 89W Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13.4A Ta 67A Tc

Turn Off Delay Time

12 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2008

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

SMD/SMT

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-40°C

元素配置

Dual

功率耗散

3.6W

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

11mOhm @ 13.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.9V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1350pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36nC @ 10V

上升时间

12ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8.7 ns

连续放电电流(ID)

13.4A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

双电源电压

60V

输入电容

1.35nF

恢复时间

48 ns

漏源电阻

9mOhm

最大rds

11 mΩ

栅源电压

4 V

高度

533.4μm

长度

6.35mm

宽度

5.05mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准