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IRF6691TR1备选型号: IRF6619TR1

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  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF6691TR1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MT
    7
    DIRECTFET™ MT
    32A Ta 180A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    SMD/SMT
    150°C
    -40°C
    20V
    32A
    2.8W
    23 ns
    N-Channel
    1.8mOhm @ 15A, 10V
    2.5V @ 250μA
    6580pF @ 10V
    71nC @ 4.5V
    95ns
    20V
    ±12V
    650mV
    10 ns
    32 ns
    32A
    2.5V
    12V
    20V
    20V
    6.58nF
    1.8mOhm
    1.8 mΩ
    2.5 V
    无SVHC
    无
    Non-RoHS Compliant
    含铅
  • Infineon Technologies
    IRF6619TR1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    DIRECTFET™ MX
    30A Ta 150A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    SMD/SMT
    150°C
    -40°C
    20V
    30A
    2.8W
    -
    N-Channel
    2.2mOhm @ 30A, 10V
    2.45V @ 250μA
    5040pF @ 10V
    57nC @ 4.5V
    71ns
    20V
    ±20V
    -
    9.3 ns
    29 ns
    24A
    2.45V
    20V
    20V
    20V
    5.04nF
    1.65Ohm
    2.2 mΩ
    2.45 V
    无SVHC
    -
    Non-RoHS Compliant
    无铅
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