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首页 全部分类 IRF6691TR1 vs IRF6716MTR1PBF

IRF6691TR1备选型号: IRF6716MTR1PBF

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  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IRF6691TR1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MT
    7
    DIRECTFET™ MT
    32A Ta 180A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    SMD/SMT
    150°C
    -40°C
    20V
    32A
    2.8W
    23 ns
    N-Channel
    1.8mOhm @ 15A, 10V
    2.5V @ 250μA
    6580pF @ 10V
    71nC @ 4.5V
    95ns
    20V
    ±12V
    650mV
    10 ns
    32 ns
    32A
    2.5V
    12V
    20V
    20V
    6.58nF
    1.8mOhm
    1.8 mΩ
    2.5 V
    无SVHC
    无
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6716MTR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    5
    DIRECTFET™ MX
    39A Ta 180A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    150°C
    -40°C
    -
    -
    3.6W
    26 ns
    N-Channel
    1.6mOhm @ 40A, 10V
    2.4V @ 100μA
    5150pF @ 13V
    59nC @ 4.5V
    105ns
    25V
    ±20V
    -
    41 ns
    -
    39A
    1.9V
    20V
    25V
    25V
    5.15nF
    2.6mOhm
    1.6 mΩ
    1.9 V
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    1.6MOhm
    36 ns
    508μm
    5.45mm
    5.05mm
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