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首页 全部分类 IRF6691TR1PBF vs IRF6898MTRPBF

IRF6691TR1PBF备选型号: IRF6898MTRPBF

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管特性
  • Infineon Technologies
    IRF6691TR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MT
    5
    DIRECTFET™ MT
    32A Ta 180A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    2.5MOhm
    150°C
    -40°C
    20V
    32A
    2.8W
    23 ns
    N-Channel
    1.8mOhm @ 15A, 10V
    2.5V @ 250μA
    6580pF @ 10V
    71nC @ 4.5V
    95ns
    20V
    ±12V
    10 ns
    26A
    1.6V
    12V
    20V
    20V
    6.58nF
    2.5mOhm
    1.8 mΩ
    1.6 V
    506μm
    6.35mm
    5.05mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6898MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    -
    35A Ta 213A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2012
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    78W
    18 ns
    N-Channel
    1.1m Ω @ 35A, 10V
    2.1V @ 100μA
    5435pF @ 13V
    62nC @ 4.5V
    46ns
    -
    ±16V
    19 ns
    35A
    1.6V
    16V
    25V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    10 Weeks
    SILICON
    3
    EAR99
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    280A
    Schottky Diode (Body)
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