您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRF6691TR1PBF vs STV300NH02L

IRF6691TR1PBF备选型号: STV300NH02L

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终端
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRF6691TR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MT
    5
    DIRECTFET™ MT
    32A Ta 180A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    2.5MOhm
    150°C
    -40°C
    20V
    32A
    2.8W
    23 ns
    N-Channel
    1.8mOhm @ 15A, 10V
    2.5V @ 250μA
    6580pF @ 10V
    71nC @ 4.5V
    95ns
    20V
    ±12V
    10 ns
    26A
    1.6V
    12V
    20V
    20V
    6.58nF
    2.5mOhm
    1.8 mΩ
    1.6 V
    506μm
    6.35mm
    5.05mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STV300NH02L
    STMicroelectronics
    MOSFET N Ch 24V 0.8m 280A Pwr MOSFET
    表面贴装
    表面贴装
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    10
    -
    200A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ III
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    1MOhm
    -
    -
    -
    -
    300W
    18 ns
    N-Channel
    1m Ω @ 80A, 10V
    2V @ 250μA
    7055pF @ 15V
    109nC @ 10V
    275ns
    -
    ±20V
    94.4 ns
    200A
    1.5V
    20V
    24V
    -
    -
    -
    -
    -
    3.75mm
    9.6mm
    9.5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    12 Weeks
    SILICON
    e3
    10
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    DUAL
    鸥翼
    250
    STV300
    10
    Single
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    280A
    2296 mJ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STV300NH02L STV300NH02L STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 PowerSO-10 Exposed Bottom Pad MOSFET N Ch 24V 0.8m 280A Pwr MOSFET 对比
IRF6609TR1PBF IRF6609TR1PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 DirectFET™ Isometric MT MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET 对比
IRF6619TR1PBF IRF6619TR1PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 DirectFET™ Isometric MX MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET 对比