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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥52.181257
10
¥49.227601
100
¥46.441137
500
¥43.812388
1000
¥41.332442
STMicroelectronics STV300NH02L
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STV300NH02L
2381-STV300NH02L
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
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MOSFET N Ch 24V 0.8m 280A Pwr MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STV300NH02L详情
STMicroelectronics STV300NH02L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
引脚数
10
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
200A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V 5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
300W Tc
Turn Off Delay Time
138 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ III
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
10
ECCN 代码
EAR99
电阻
1MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
250
基本部件号
STV300
引脚数量
10
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
300W
接通延迟时间
18 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1m Ω @ 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7055pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
109nC @ 10V
上升时间
275ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
94.4 ns
连续放电电流(ID)
200A
阈值电压
1.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
280A
漏源击穿电压
24V
雪崩能量等级(Eas)
2296 mJ
高度
3.75mm
长度
9.6mm
宽度
9.5mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STV300NH02L拓展信息
STMicroelectronics
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