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首页 全部分类 IRF6706S2TR1PBF vs IRF6712STR1PBF

IRF6706S2TR1PBF备选型号: IRF6712STR1PBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 输入电容
  • 漏源电阻
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRF6706S2TR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric S1
    5
    DIRECTFET S1
    17A Ta 63A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6.5MOhm
    175°C
    -55°C
    26W
    12 ns
    N-Channel
    3.8mOhm @ 17A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1810pF @ 13V
    20nC @ 4.5V
    20ns
    25V
    ±20V
    9.2 ns
    17A
    20V
    25V
    1.81nF
    6.5mOhm
    3.8 mΩ
    558.8μm
    4.826mm
    3.95mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6712STR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    5
    DIRECTFET™ SQ
    17A Ta 68A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4.9MOhm
    150°C
    -40°C
    2.2W
    11 ns
    N-Channel
    4.9mOhm @ 17A, 10V
    2.4V @ 50μA
    1570pF @ 13V
    18nC @ 4.5V
    40ns
    25V
    ±20V
    12 ns
    17A
    20V
    25V
    1.57nF
    8.7mOhm
    4.9 mΩ
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    SMD/SMT
    1.9V
    25V
    26 ns
    1.9 V
    无SVHC
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